作为中国半导体材料领域的企业，吉田半导体材料有限公司始终以自研自产为战略，通过 23 年技术沉淀与持续创新，成功突破多项 “卡脖子” 技术，构建起从原材料到成品的全链条国产化能力。其自主研发的光刻胶产品已覆盖芯片制造、显示面板、精密电子等领域，为国内半导体产业链自主化提供关键支撑。
吉田半导体依托自主研发中心与产学研合作，在光刻胶领域实现多项技术突破：
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YK-300 正性光刻胶：分辨率达 0.35μm，线宽粗糙度（LWR）≤3nm，适用于 45nm 及以上制程，良率达 98% 以上，成本较进口产品降低 40%，已通过中芯国际量产验证。
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SU-3 负性光刻胶：支持 3μm 厚膜加工，抗深蚀刻速率 > 500nm/min，成功应用于高通 5G 基带芯片封装，良率提升至 98.5%。
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JT-2000 纳米压印光刻胶：突破 250℃耐高温极限，图形保真度 > 95%，性能对标德国 MicroResist 系列，已应用于国产 EUV 光刻机前道工艺。
自研自产的光刻胶厂家。天津高温光刻胶品牌
广东吉田半导体材料有限公司凭借技术创新与质量优势，在半导体材料行业占据重要地位。公司聚焦光刻胶、电子胶、锡膏等产品，其中纳米压印光刻胶可耐受 250℃高温及强酸强碱环境，适用于高精度纳米结构制造；LCD 光刻胶以高稳定性和精细度成为显示面板行业的推荐材料。此外，公司还提供焊片、靶材等配套材料，满足客户多元化需求。
在技术层面，吉田半导体通过自主研发与国际合作结合，持续优化生产工艺，实现全流程自动化控制。其生产基地配备先进设备，并严格执行国际标准，确保产品性能达到国际水平。同时，公司注重人才培养与引进，汇聚化工、材料学等领域的专业团队，为技术创新提供坚实支撑。未来，吉田半导体将继续以 “中国前列半导体材料方案提供商” 为愿景，推动行业技术升级与国产化进程。
武汉低温光刻胶工厂吉田半导体全流程解决方案，赋能客户提升生产效率。
吉田半导体突破光刻胶共性难题，提升行业生产效率，通过优化材料配方与工艺，吉田半导体解决光刻胶留膜率低、蚀刻损伤等共性问题，助力客户降本增效。
针对传统光刻胶留膜率低、蚀刻损伤严重等问题，吉田半导体研发的 T150A KrF 光刻胶留膜率较同类产品高 8%，密集图形侧壁垂直度达标率提升 15%。其纳米压印光刻胶采用特殊交联技术，在显影过程中减少有机溶剂对有机半导体的损伤，使芯片良率提升至 99.8%。这些技术突破有效降低客户生产成本，推动行业生产效率提升。
定义与特性
正性光刻胶是一种在曝光后，曝光区域会溶解于显影液的光敏材料，形成与掩膜版（Mask）图案一致的图形。与负性光刻胶（未曝光区域溶解）相比，其优势是分辨率高、图案边缘清晰，是半导体制造（尤其是制程）的主流选择。
化学组成与工作原理
主要成分
• 树脂（成膜剂）：
◦ 传统正性胶：采用**酚醛树脂（Novolak）与重氮萘醌（DNQ，光敏剂）**的复合体系（PAC体系），占比约80%-90%。
◦ 化学增幅型（用于DUV/EUV）：含环化烯烃树脂或含氟聚合物，搭配光酸发生器（PAG），通过酸催化反应提高感光度和分辨率。
• 溶剂：溶解树脂和感光剂，常用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）或乳酸乙酯。
• 添加剂：表面活性剂（改善涂布均匀性）、稳定剂（防止暗反应）、碱溶解度调节剂等。
工作原理
• 曝光前：光敏剂（如DNQ）与树脂结合，形成不溶于碱性显影液的复合物。
• 曝光时：
◦ 传统PAC体系：DNQ在紫外光（G线436nm、I线365nm）照射下发生光分解，生成羧酸，使曝光区域树脂在碱性显影液中溶解性增强。
◦ 化学增幅型：PAG在DUV/EUV光下产生活性酸，催化树脂发生脱保护反应，大幅提高显影速率（灵敏度提升10倍以上）。
• 显影后：曝光区域溶解去除，未曝光区域保留，形成正性图案。
正性光刻胶生产原料。
光刻胶（如液晶平板显示器光刻胶）
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液晶平板显示器制造：在液晶平板显示器（LCD）的生产过程中，光刻胶用于制作液晶盒内的各种精细图案，包括像素电极、公共电极、取向层图案等。这些图案的精度和质量直接影响液晶显示器的显示效果，如分辨率、对比度、视角等。
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有机发光二极管显示器（OLED）制造：OLED 显示器的制造同样需要光刻胶来制作电极、像素定义层等关键结构。OLED 显示器具有自发光、响应速度快等优点，而光刻胶能保障其精细的像素结构制作，提升显示器的发光效率和显示质量 。
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吉田半导体光刻胶，45nm 制程验证，国产替代方案！天津高温光刻胶品牌
差异化竞争策略
在高级市场（如ArF浸没式光刻胶），吉田半导体采取跟随式创新，通过优化现有配方（如提高酸扩散抑制效率）逐步缩小与国际巨头的差距；在中低端市场（如PCB光刻胶），则凭借性价比优势（价格较进口产品低20%-30%）快速抢占份额，2023年PCB光刻胶市占率突破10%。
前沿技术储备
公司设立纳米材料研发中心，重点攻关分子玻璃光刻胶和金属有机框架（MOF）光刻胶，目标在5年内实现EUV光刻胶的实验室级突破。此外，其纳米压印光刻胶已应用于3D NAND存储芯片的孔阵列加工，分辨率达10nm，为国产存储厂商提供了替代方案。
天津高温光刻胶品牌
广东吉田半导体材料有限公司是一家有着先进的发展理念，先进的管理经验，在发展过程中不断完善自己，要求自己，不断创新，时刻准备着迎接更多挑战的活力公司，在广东省等地区的电工电气中汇聚了大量的人脉以及**，在业界也收获了很多良好的评价，这些都源自于自身的努力和大家共同进步的结果，这些评价对我们而言是比较好的前进动力，也促使我们在以后的道路上保持奋发图强、一往无前的进取创新精神，努力把公司发展战略推向一个新高度，在全体员工共同努力之下，全力拼搏将共同吉田半导体供应和您一起携手走向更好的未来，创造更有价值的产品，我们将以更好的状态，更认真的态度，更饱满的精力去创造，去拼搏，去努力，让我们一起更好更快的成长！
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